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Grupo de Produto
110A demanda de alta corrente:
Os indutores SMD blindados da ISU atingem a corrente de saturação 110A por meio de núcleos de pó de ferro e enrolamentos baixos de DCR (tão baixos quanto 0,4mΩ), críticos para inversores de 800V eV e conversores DC/DC de 48V-12V.
2mm Ultra-Thin Reality:
Os indutores da série CDH2D09 comprimem alturas a ≤3 mm para desgastados, mas designs de 2 mm (por exemplo, 4 × 4 × 2mm 4 × 2mm) sacrifiquem 30% de capacidade devido ao volume reduzido de cobre.
Trade-off: 110a requer ≥7 × 7 × 5mm volumes; Perfis de 2 mm Max em 25a.
Supressão EMI:
Os indutores blindados ERUC23 do TDK reduzem a corrente de ondulação em 40% nos conversores de 48V -12V, mas aumentam a resistência térmica em tipos de 15% vs. não blindadas.
Risco de fuga térmica:
Os indutores não blindados (por exemplo, CDH38D09) dissipam o calor mais rápido, mas emitem ≥25db ruído EMI a 2MHz, falhando nos testes automotivos EMC.
Solução: Os escudos de liga moldados do ISU equilibram a resistência térmica (θja = 45 ° C/W) e a supressão de ruído de 30dB.
Desafios de troca de MHZ:
Indutores como a série SPI da ISU operam até 5MHz, mas sofrem perdas de núcleo> 220mW/cm³ a 3MHz, reduzindo a eficiência em 12% nos carregadores Gan PD.
Otimização de baixa frequência:
O FP3415-351 (50kHz) mantém 98% de eficiência em inversores solares, mas ocupa 3 × mais área de PCB.
Avanço: os enrolamentos de fio plano do TDK reduziram a resistência AC em 50% a 2MHz.
Materiais avançados:
Os núcleos de pó de ferro (Eaton HCM1103) permitem -55 ° C a +125 ° C, mas custam 2,5 × mais que os equivalentes de ferrite.
Compromissos orientados a custos:
Os indutores de núcleo de ferrite dominam os aplicativos de consumidores, mas fraturas sob> 7g de vibração em robôs industriais.
Data Insight: 2025–2030 Previsões mostram indutores de SMD com núcleos de liga crescendo a 14% CAGR, impulsionados pela demanda automotiva.
Chargers de EV: requer conformidade com AEC-Q200 e tolerância a 389V.
PSUs do servidor: precisa da corrente de saturação 97A (TDK ERUC23) para estágios de energia da GPU.
Telefones dobráveis: a altura de 2 mm permite o empilhamento de PCB de 10 camadas em zonas de dobradiça.
Dispositivos AI de borda: ≤ 3mmm indutores com intervalo de 5MHz para inferência no dispositivo.
Tabela: Matriz de seleção do Indutor SMD por aplicação
| Aplicativo | Prioridade chave | Especificação recomendada | Modelo de exemplo |
|---|---|---|---|
| Tração de EV | Atual (110a) | AEC-Q200, ΔT <40 ° C @125 ° C. | ISU SPI-13 × 13 × 5 |
| Servidores de AI | Tamanho (≤3mm) | Srf> 10mHz, θja <50 ° C/w | CDH2D09/S (2,55mm) |
| Gan Chargers | Frequência (5MHz) | Perda de núcleo <150mw/cm³ @3mHz | TDK ERUC23 (fio plano) |
| IoT industrial | Durabilidade | Resistência à vibração> 10g | Eaton HCM1103 |
Escudo híbrido:
A liga moldada + ferrita moldada do ISU corta EMI por 20dB, mantendo θja = 42 ° C/W.
Veritos impressos em 3D:
A fabricação aditiva permite 110A em volumes 4 × 4 × 3mm (protótipo Q4'2025).
Sinergia térmica térmica:
Os revestimentos bi₂te₃ convertem o calor resíduo do Indutor em potência auxiliar de 5V/10mA.
A seleção de indutores de SMD não é sobre "110a ou 2mm" - trata -se de otimizar as prioridades do sistema:
Designs intensivos em energia? Priorize os núcleos 110A da ISU com escudos de liga.
Layouts com restrição de espaço? Alavancar perfis de 2 mm com ferritas de grau MHZ.
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