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marca: Ferrtx
Introdução
Transformadores de acionamento por porta são componentes críticos em unidades de frequência variável (VFDs), permitindo o isolamento galvânico seguro entre os estágios do inversor IGBT e os circuitos de controle de baixa tensão. Projetado com núcleos toroidais nanocristalinos, nossos transformadores IGBT fornecem alta densidade de potência de comutação em pacotes ultra-compactos, minimizando a pegada de PCB. Com isolamento reforçado (> 5kVRMs) e capacitância de acoplamento ultra-baixa (<3pf), esses transformadores garantem comutação confiável em ambientes de DV/DT com alto teor de coroa e suportam as tensões de extinção da coroa que excedam os padrões da indústria.
Principais especificações
Tensão de isolamento : 500-1200V Faixa de trabalho (reforçada por IEC 61800-5-1)
Capacitância de acoplamento : <3pf (reduz a propagação da EMI)
Tensão de extinção da coroa :> 2 × tensão de operação
Faixa de temperatura : -40 ℃ a +105 ℃ (operação/armazenamento)
Opções de montagem : Pacotes THT/SMT para layouts de alta densidade
Personalização : proporção de voltas ajustáveis e produto de tempo de tensão
Aplicações
Integrar -se aos indutores de potência e ao filtro EMC - módulos EMI/RFI em:
VFDs industriais : motores de elevador, controladores de bomba, máquinas CNC
Energia renovável : conversores de turbinas eólicas, inversores de fazenda solar
Sistemas de tração : Drivetrains de EV, propulsão ferroviária
SMPs de alta potência : UPS, equipamento de soldagem com feedback isolado do sensor
Sistemas de energia de RF : amplificadores de GaN combinados com componentes de microondas de RF
Vantagens de design
Transferência de energia otimizada para o espaço
Os núcleos nanocristalinos permitem 50% de pegadas menores que as soluções de ferrita. Ideal para co-localização com transformadores de alta frequência em conversores de vários estágios.
Comutação imune a ruído
A tecnologia de enrolamento de proteção tripla elimina a interferência do modo comum. Combine com os filtros EMC Filter - EMI/RFI para obter conformidade total com VFD.
Imunidade de alta dv/dt
<10ns de atraso de propagação impede a tiro IGBT em bordas transitórias> 50kV/μs. Aprimorado por redes de amortecedor de RF Indutor .
Flexibilidade de integração personalizada
Produto de tempo de tensão alfaiate (10-100V · μs) e relação giro (1: 1 a 1: 2) para topologias únicas. Suporta designs de transformadores de unidade de porta de portão personalizados .
Por que escolher nossos transformadores IGBT?
Para os engenheiros que desenvolvem VFDs de médio/de alta potência, nossos transformadores de unidade de portão resolvem desafios críticos:
Ativar alto isolamento em circuitos intermediários de 1200V
Prolongar a vida útil do sensor bloqueando os loops do solo
Reduza os custos com nascimentos 30% vs soluções discretas
Exceder a segurança da IEC 61800-5-1 com isolamento reforçado
Série nesta família
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